Slurry Mischung für die chemisch-mechanische Planarisierung
Durchflussmessung, Steuerung der Slurry-Konzentration und -Ausgabe
Bei der chemisch-mechanischen Planarisierung (CMP) ist die genaue Zusammensetzung des Slurry entscheidend. Dabei werden Schleifpartikel, chemische Zusätze und deionisiertes Wasser sorgfältig gemischt, um eine homogenisierte Slurry zu erhalten. Durchflusssensoren spielen in diesem komplexen Prozess eine wichtige Rolle. Durch den Einsatz von SEMIFLOW-Durchflussmessern können die Volumenverhältnisse beim Mischen von Slurry präzise und zuverlässig überwacht und gesteuert werden.
Prozess der Slurry Aufbereitung
Der Prozess der Slurry-Aufbereitung beginnt mit einer genauen Quantifizierung der Durchflussmenge, die die Aufrechterhaltung einer optimalen Konzentration der Slurry ermöglicht. Die Qualität des CMP hängt im Wesentlichen von der idealen Slurry-Zusammensetzung ab, da Abweichungen in der Partikelgröße oder der chemischen Konzentration zu Leistungseinbußen und kostspieligen Defekten in Halbleiterwafern führen können.
Slurry Verteilung
Darüber hinaus ist die Slurry-Verteilung über komplexe Slurry-Lines ein kritischer Aspekt dieses Prozesses. Das Mischen am Verwendungsort ist eine weitere wichtige Phase, in der die endgültige Slurry-Zusammensetzung genau kontrolliert werden muss. In dieser Phase wird sichergestellt, dass der Slurry, wenn er den Halbleiterwafer erreicht, genau die Eigenschaften aufweist, die für einen effektiven Materialabtrag und die Oberflächenplanarisierung erforderlich sind.
Slurry Dosierung mit Clamp-On Durchflusssensoren
Um die erforderliche Zusammensetzung der Aufschlämmung für den Point-of-Use-Dosiervorgang zu erreichen, setzen die Unternehmen zunehmend nicht-invasive Durchflusssensoren der Serie SEMIFLOW CO.65ein. Die Durchflussmessung ist von zentraler Bedeutung für dieGewährleistung der Konsistenz und Zuverlässigkeit des CMP-Prozesses. Präzision beim Mischen von Schleifmitteln und Chemikalien ist eine grundlegende Anforderung im dynamischen Umfeld der Halbleiterfertigung, um die höchste Qualität der Ergebnisse bei der Wafer-Planarisierung zu gewährleisten.
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